超高分辨率
（0.6 nm@15 kV）
高壓隧道技術
*雙減速模式（Dul-Dec）
機械優中心樣品臺
*快速換樣倉（最大8寸）
產品優勢
超高分辨率成像，達到了突破性的0.6 nm@15 kV和1.0 nm@1 kV
樣品臺減速和高壓隧道技術組合的雙減速技術，挑戰極限樣品拍攝場景
高精度機械優中心樣品臺、超穩定性的機架減震設計，可搭配整體罩殼設計，極大減弱環境對極限分辨率的影響
最大支持8寸晶圓(最大直徑208 mm)的快速換樣倉，滿足半導體和科研應用需求
應用案例
介孔二氧化硅/1 kV（Dul-Dec）/lnlens
陽極氧化鋁板 /10 kV/Inlens
芯片/5 kV/BSED-COMP
腎臟切片 /5 kV/BSED-COMP
泡沫鎳/2 kV/ETD-SE
藍寶石襯底/5 kV/ETD-SE
金顆粒/1 kV/Inlens
光刻膠/2 kV/ETD-SE
磁性粉末/10 kV/Inlens
二氧化硅球/3 kV/ETD-SE
催化劑/1 kV/ETD-SE
波導/1 kV/ETD-SE
產品參數
| 關鍵參數 | 分辨率 | 0.6 nm @ 15 kV，SE |
| 1.0 nm @ 1 kV，SE | ||
| 高分辨率模式最大觀察視野 | ≥5mm@5kV | |
| 工作距離WD | <9mm | |
| 加速電壓 | 20 V ~ 30 kV | |
| 放大倍率 | 1 ~ 2,500,000 x | |
| 電子槍類型 | 肖特基場發射電子槍,穩定性≥0.2%/h | |
| 樣品室 | 真空系統 | 全自動控制 |
| 攝像頭 | 雙攝像頭（光學導航+樣品倉內監控） | |
| 圖像存儲分辨率 | 最大48×32k像素 | |
| 樣品臺類型 | 五軸優中心馬達驅動樣品臺 | |
| 樣品臺行程 | X=110 mm，Y=110 mm，Z=65 mm X=130mm，Y=130mm，Z=50mm（選配） | |
T: -10°~+70°，R: 360° T=-4~70°、R=360°(旋轉) （選配） | ||
| 樣品艙室尺寸 | 360mm x 317mm x 310mm 支持8寸晶圓進行觀察 | |
| 探測器和擴展 | 標配 | 鏡筒內電子探測器 |
| 旁側二次電子探測器（ETD） | ||
| 選配 | 插入式背散射電子探測器(BSED) | |
| 插入式掃描透射探測器（STEM） | ||
| 能譜儀（EDS） | ||
| 背散射衍射（EBSD） | ||
| 樣品交換倉（4寸和8寸可選） | ||
| 軌跡球&旋鈕控制板 | ||
| 樣品臺減速 | ||
| 磁場噪音屏蔽系統（SEMI認證） | ||
| 支持定制 | EBIC功能 | 進行吸收電流測量、吸收電流成像和電子束感生電流成像 |
| 原位加熱芯片 | 結合EDS等多種不同模式，實時、動態監測樣品成分演化等關鍵信息 | |
| 樣品可見光學檢測子系統 | 可實現在室溫環境中對待檢測樣品進行光學預檢查，包含5X、10X、20X、50X、100X無限遠物鏡，以及高清CCD相機和測量軟件 | |
| 軟件 | 語言 | 中文 |
| 操作系統 | Windows | |
| 導航 | 光學導航、手勢快捷導航 | |
| 圖像顯示 | 1536x1024像素，至少2臺24”LCD顯示器 | |
| 圖像記錄 | TIFF、JPG、PNG、BMP | |
| 自動功能 | 自動亮度對比度、自動聚焦、自動像散 |
