產(chǎn)品名稱：ICP感應(yīng)耦合等離子刻蝕機(jī)

型號：ICP-RIE Plasma Etcher SI 500

SI 500-300用于最大200 mm x200 mm 的方片，特別適合石英光柵、微透鏡的刻蝕

SI 500為研發(fā)和小批量生產(chǎn)應(yīng)用提供先進(jìn)的ICP刻蝕工藝，具備高度的靈活性和模塊化設(shè)計特點(diǎn)。

SI 500的主要應(yīng)用：SI 500通過感應(yīng)耦合（ICP）方式產(chǎn)生高密度等離子體，按掩膜（例如介質(zhì)掩膜、光刻膠掩膜或金屬掩膜）圖形、實(shí)現(xiàn)范圍廣泛的刻蝕工藝，包括對寬禁帶化合物半導(dǎo)體（例如SiC等）、III-V族化合物（例如GaAs、InP、GaN、InSb等）、II-VI族化合物（例如HgCdTe等）、介質(zhì)、石英、玻璃、硅 和硅化合物（例如SiGe）等材料的選擇性刻蝕。

SI 500的主要特點(diǎn)：包括平板式ICP感應(yīng)耦合等離子 體源、下電極動態(tài)溫度控制、高傳導(dǎo)真空系統(tǒng)、多 尺寸樣片間的靈活切換、遠(yuǎn)程現(xiàn)場控制器RFC控制原理。

SENTECH的平板三螺旋天線（PTSA）ICP源高效 率地將ICP射頻功率耦合到等離子體、能生成完全 的感性耦合的高密度等離子體（自由基、離子、電 子），可工作在低壓力、刻蝕時樣品襯底上具有極 低的直流自偏壓，實(shí)現(xiàn)低損傷刻蝕工藝，例如量子點(diǎn)和量子線刻蝕。

SI500可實(shí)現(xiàn)的先進(jìn)工藝應(yīng)用，還包括低等離子功率時的高深寬比刻蝕工藝（例如用100W射頻功率刻蝕光子晶體）、GaAs和SiC中的通孔刻蝕、以及在石英和玻璃上的微透鏡刻蝕等。

SI 500通過增加DRIE模塊，還可實(shí)現(xiàn)深硅刻蝕。

SENTECH等離子工藝設(shè)備均在潔凈室內(nèi)制造。高 效裝配、高產(chǎn)能和清潔環(huán)境，為SENTECH用戶帶 來了高質(zhì)量、高可靠性的設(shè)備。

SENTECH通過專業(yè)的、受過良好培訓(xùn)的工程師團(tuán)隊、為全球用戶提供良好的本地化服務(wù)、快速的售 后服務(wù)響應(yīng)、以及全面和長期的技術(shù)支持。

主要特點(diǎn)與核心指標(biāo)

■ 加工尺寸：最大6英寸直徑晶圓、向下兼 容4英寸和更小的晶圓片或不規(guī)則碎片

■ 采用平板三螺旋天線，通過電介質(zhì)板、將 射頻功率耦合到等離子體中

■ 最高等離子體密度可到1E12 cm-3 上、下電極間的距離可電動調(diào)節(jié)反應(yīng)腔室：本底真空≤ 1E-6 mbar,真 空漏率≤ 2E - 4  mbar · l/s

■ 下電極溫度控制：溫度控制范圍-20°℃~+200°℃,溫度控制精度±1°℃

■ 集成式氣路柜，質(zhì)量流量計MFC與反應(yīng)腔室間的距離不超過150 cm,可以實(shí)現(xiàn)工藝氣體的快速切換

■ 激光終點(diǎn)檢測器：激光波長670 nm,測量速度<1 s,帶x-y電動位移，行程范圍25 mm x 25 mm

■ 預(yù)真空室位于反應(yīng)腔室的外側(cè)，實(shí)現(xiàn)“穿墻式”安裝