磁控濺射的基本原理是利用 Ar一02混合氣體中的等離子體在電場和交變磁場的作用下，被加速的高能粒子轟擊靶材表面，能量交換后，靶材表面的原子脫離原晶格而逸出，轉移到基體表面而成膜。

濺射鍍膜是指在真空室中，利用荷能粒子轟擊靶材表面，通過粒子動量傳遞打出靶材中的原子及其它粒子，并使其沉淀在基體上形成薄膜的技術。濺射鍍膜技術具有可實現大面積快速沉積，薄膜與基體結合力好，濺射密度高、針孔少，膜層可控性和重復性好等優點，而且任何物質都可以進行濺射，因而近年來發展迅速，應用廣泛。

濺射鍍膜技術的應用

1. 制備薄膜磁頭的耐磨損氧化膜

硬盤磁頭進行讀寫操作時與硬盤表面產生滑動摩擦，為了減小摩擦力及提高磁頭壽命，目前磁頭正向薄膜化方向發展。

絕緣膜和保護膜(即AL 2 O 3 、SiO 2 氧化物薄膜)是薄膜磁頭主要構成成份。對薄膜磁頭的耐磨損膜的要求是耐沖擊性好，耐磨性好，有適當的可加工性以及加工變形小，通常采用反應濺射法制備該種薄膜。為了防止基片升溫過高，濺射鍍膜過程中要對基片進行冷卻。

2. 制備硬質薄膜

目前廣泛使用的硬化膜是水溶液電鍍鉻。電鍍會使鋼發生氫脆，而且電鍍速度慢，造成環境污染。如果采用金屬Cr靶，在N 2 氣氛中進行非平衡磁控濺射鍍膜，可以在工件上鍍覆Cr、CrN X 等鍍層，代替水溶液電鍍用于旋轉軸和其它運動部件。

3. 制備切削刀具和模具的超硬膜

采用普通化學氣相沉積技術制備TiN、TiC等超硬鍍層，溫度要在1000 ℃ 左右，這已經超過了高速鋼的回火溫度，對于硬質合金來說還可能使鍍層晶粒長大。而采用對向靶濺射沉積單相TiN薄膜，濺射時間只需10～15min，基片溫度不超過150 ℃，得到的 TiN薄膜硬度最高可達HV3800。利用非平衡磁控濺射法制備的TiN鍍膜，通過膜層硬度和臨界載荷實驗以及摩擦實驗，表明膜層硬度已經達到和超過其它離子鍍膜的效果。

4. 制備固體潤滑膜

固體潤滑膜如MoS 2 薄膜已成功應用于真空工業設備、原子能設備以及航空航天領域，對于工作在高溫環境的機械設備也是畢不可少的。雖然MoS 2 可用化學反應鍍膜法制備，但濺射鍍膜發得到的MoS 2 薄膜致密性好，膜基附著力大，添加Au(5wt%)的MoS 2 膜，其致密性和附著性更好，摩擦系數更小。

5. 制備光學薄膜

濺射法是目前工業生成中制備光學薄膜的一種主要的工藝。長期以來，反應磁控濺射技術主要用于工具表面鍍制 TiN 等超硬膜以及建筑玻璃、汽車玻璃、透明導電膜等單層或簡單膜層。近年來，光通信，顯示技術等方面對光學薄膜的巨大需求，刺激了將該技術用于光學薄膜工業化 生產的研究。