離子束刻蝕也稱為離子銑，是指當定向高能離子向固體靶撞擊時,能量從入射離子轉移到固體表面原子上，如果固體表面原子間結合能低于入射離子能量時，固體表面原子就會被移開或從表面上被除掉。通常離子束刻蝕所用的離子來自惰性氣體。
離子束刻蝕機是一種用于工程與技術科學基礎學科、測繪科學技術、航空、航天科學技術領域的工藝試驗儀器。用于工程與技術科學基礎學科、測繪科學技術、航空、航天科學技術領域的工藝試驗儀器。
離子束最小直徑約10nm，離子束刻蝕的結構最小可能不會小于10nm。聚焦離子束刻蝕的束斑可達100nm以下，最少的達到10nm，獲得最小線寬12nm的加工結果。相比電子與固體相互作用，離子在固體中的散射效應較小，并能以較快的直寫速度進行小于50nm的刻蝕，故而聚焦離子束刻蝕是納米加工的一種理想方法。此外聚焦離子束技術的另一優點是在計算機控制下的無掩膜注入，甚至無顯影刻蝕，直接制造各種納米器件結構。
SHL 系列離子束刻蝕機配置項目如下：
配置項目
| SHL FA100-IBE
| SHL 100S-IBE
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樣片尺寸
| 4英寸向下
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RF離子源
| 離子能量100~1000V，離子通量100~800mA，束流準直性＜±5%，束流不均勻 性＜±5%，100h工藝穩定時間
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分子泵
| 1000/2000/3000（L/s），可配防腐型泵
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前級泵
| 機械泵/干泵，可配防腐型泵
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預抽泵
| 機械泵/干泵，可配防腐型泵
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預抽腔
| 可選配
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工藝控壓
| 不控壓/0~0.1Torr控壓
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氣體種類
| H2,CH4,O2,N2,Ar,SF6,CF4,CHF3,C4F8,NF3,NH3,C2F6,Cl2,BCl3,HBr/定制(最多12路)
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氣體量程
| 0~5sccm/50sccm/100sccm/定制
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傳輸腔
| 可選配
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樣片控溫
| -30℃/10℃~室溫
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背氦冷卻
| 可選配
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工藝腔內襯
| 可選配
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樣品臺 | 旋轉0 ~ 30 rpm，支持往復運動，0 ~ 180°傾斜，控制精度±0.1°，自動控制
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控制系統
| 全自動/定制
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工作模式
| 可選 反應離子束刻蝕模式（RIBE）與化學輔助離子束刻蝕模式（CAIBE)
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刻蝕材料
| 硅基材料：SiNx，SiO2 金屬材料：Ta、Ti、Cu、Al | 磁性材料/合金材料 金屬材料：Ni、Cr、Cu、Al、Au....... 光柵結構
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