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反應離子刻蝕 SHL100-RIE

發布日期:2023-02-24 15:02:55瀏覽次數:1438

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項目及機臺結構圖

配置項目

SHL100-RIE

SHL200-RIE

 

SHL200C-RIE

 

樣片尺寸

4英寸向下

 

8英寸向下兼容

8英寸向下

 

RF  功率源

 

0~300W/500W/1000W可調,自動匹配

 

分子泵

 

/620(L/s)/1300(L/s)/定制

 

/620(L/s)/1300(L/s)/定制

 

前級泵

機械泵/干泵

 

干泵

 

工藝控壓

 

不控壓/0~1Torr控壓

 

氣體種類

 

H2 /CH4 /O2 /N2 /Ar/SF6 /CF4 / CHF3 /C4F8 /NF3 /定制

(最多9路:不含腐蝕與劇毒氣體

H2 /CH4 /O2 /N2 /Ar/F6 /CF4 / CHF3 / C4F8 /NF3 /Cl2 /BCl3 /HBr

(最多9路)

 

氣體量程

 

0~5sccm/50sccm/100sccm/200sccm/300sccm/500sccm/定制

LoadLock腔

/無

 

樣片控溫

10℃ ~室溫/ -30℃~100℃/定制

-30℃~100℃/定制

 

背氦冷卻

/無

藝腔內襯

/無

腔壁控溫

/室溫~60/120℃

 

室溫~60/120℃

 

控制系統

 

全自動/定制

 

刻蝕材料

 

硅基材料:Si/SiO2 /石英/SiNx…… IV-IV材料:SiC                                   磁性材料/合金材料

金屬材料:Ni/Cr/Al/Au……

有機材料:PR/PMMA/HDMS/有機 膜……

硅基材料:Si/SiO2 /石英/SiNx……         III-V材料(注3)   :InP/GaAs/GaN…… IV-IV材料:SiC                                            II-VI材料(注3)   :CdTe……                   磁性材料/合金材料

金屬材料:Ni/Cr/Al/Au……

有機材料:PR/PMMA/HDMS/有機膜

 image.png 


應用案例:

硅基材 刻蝕

硅基材料、納米壓印圖形、陣列圖形以及透鏡圖形刻蝕

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石英材料蝕刻                                                    陣列圖形                                 透鏡結構


磷化銦(InP)常溫 刻

用于光通信中的InP基器件的圖案化蝕刻,包括波導結構,諧振腔結構,脊結構等

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