雙腔體脈沖激光沉積系統(tǒng)-PLD

PLD工藝生長(zhǎng)腔

 ? 選用圓球形或圓柱形腔體，極限真空度優(yōu)于 5 x 10^-9 mbar

 ? 腔體法蘭口包括：主抽氣口、樣品臺(tái)、靶臺(tái)、工藝進(jìn)氣口、全量程真空計(jì)、工藝真空計(jì)、RHEED 電子槍、熒光屏、觀察窗、進(jìn)樣室法蘭等，也可以預(yù)留其他法蘭口，比如紅外測(cè)溫、等離子體源、磁控濺射源

? 腔體支持真空烘烤，最高烘烤溫度可達(dá)200 度

? 差分抽氣快開(kāi)門維護(hù)法蘭

? 多角度觀察窗，兼顧腔內(nèi)各核心部件觀測(cè)

PLD樣品臺(tái)

樣品臺(tái)采用多種加熱方式，包括電阻式加熱，輻射式加熱，紅外激光加熱；

電阻式加熱樣品臺(tái)

? 樣品區(qū)域： 最大2英寸/15 x 18 mm方形區(qū)域（適用于旗型樣品托）；

? 最高加熱溫度：1000°C；

? 加熱器可整體插拔傳送；

? XYZ三維位置可調(diào)；

? K-type熱電偶測(cè)溫；

輻射式加熱樣品臺(tái)

? 樣品區(qū)域： 最大2英寸；

? 最高加熱溫度：1000°C(鉑銠合金加熱絲，抗氧壓)；

? 樣品實(shí)際溫度可達(dá)800°C，襯底無(wú)需銀膠固定；

紅外激光加熱樣品臺(tái)

? 樣品區(qū)域： 最大1英寸；

? 激光器：980 nm固體紅外激光器，光纖導(dǎo)入；

? 最高加熱溫度：1400°C；

? SiC夾層K-type熱電偶或者光學(xué)紅外測(cè)溫；

? XYZ三維位置可調(diào)；

PLD靶臺(tái)

? 靶位：4/5/6 x 最大1英寸；

? 程控公自轉(zhuǎn)設(shè)計(jì)；

? 靶位自動(dòng)選取；

? 靶臺(tái)整體取放或單獨(dú)靶托取放；

? XYZ多軸運(yùn)動(dòng)可選；

TorrRHEED

? 電子槍能量：30 keV；

? 熒光屏：CF100/CF150；

? 高壓工作差分抽氣系統(tǒng)，一級(jí)差分/兩級(jí)差分；

? 原位生長(zhǎng)振蕩周期，晶格衍射圖譜測(cè)量；

PLD工藝氣路

? 全金屬密封質(zhì)量流量計(jì)；

? 分子泵旁抽/閘板閥限制抽速，流量計(jì)PID控壓，或碟閥控壓；

? Ar/N₂/O₂多種氣體混合方式可選；

? 支持靜態(tài)/動(dòng)態(tài)退火工藝

快速進(jìn)樣腔 (Load-lock)

? 球型或圓柱型腔體，極限真空可達(dá)到10^-7mbar；

? 腔體法蘭包括：主抽氣口，真空計(jì)，觀察窗，傳送桿，快開(kāi)門等；

? 可選配樣品存儲(chǔ)架，RF Plasma清潔，工藝進(jìn)氣；

? 支持樣品臺(tái)/靶臺(tái)/靶托/樣品托傳送；

激光光路

? 根據(jù)脈沖激光沉積系統(tǒng)和實(shí)驗(yàn)室場(chǎng)地的實(shí)際尺寸具體設(shè)計(jì)；

? 利用幾何光學(xué)成像原理在光路上放置有光闌、反射鏡和透鏡；

? 光路被完整限制在亞克力有機(jī)玻璃包裹的鋁型材框架內(nèi)；

? 入射高度/焦距/角度根據(jù)系統(tǒng)和實(shí)驗(yàn)室空間設(shè)計(jì)；

? 激光器可融入光路內(nèi)，節(jié)省空間；

? 出射光斑和強(qiáng)度優(yōu)化；

光路拓展

? 合理配置光路系統(tǒng)可有效提高激光器效率；

? 具體分光光路可根據(jù)實(shí)驗(yàn)室實(shí)際空間尺寸確認(rèn)；

? 我們可提供成套解決方案；