磁控濺射和離子束輔助相結(jié)合的系統(tǒng)技術(shù)是許多高性能薄膜制程的理想工藝，可以使用在高端鍍膜和半導(dǎo)體制程等多個(gè)環(huán)節(jié)。

工藝原理：

磁控濺射是一種最基本的氣相沉積（PVD）工藝，是一種氣態(tài)等離子體的沉積技術(shù)，該生成的氣態(tài)等離子體被磁場(chǎng)限制在沉積材料靶的空間內(nèi)。靶的表面被等離子體中的高能離子侵蝕，釋放出的原子穿過真空環(huán)境并沉積在基板上形成薄膜。

離子束輔助沉積是在濺射沉積過程中，輔助離子源照射在基板上形成電場(chǎng)用于提高成膜速率，改善成膜的物理密度和機(jī)械性能。

制備功能：

為了提高濺射鍍膜工藝水平，我們?cè)谙到y(tǒng)中設(shè)計(jì)了離子束輔助沉積的磁控濺射工藝系統(tǒng)，該工藝在常用磁控濺射的系統(tǒng)中增加了離子束輔助沉積工藝，使濺射到基片的膜層的致密性更好，成膜速度更快，是表面要求超硬成膜的理想工藝。

設(shè)備可選配單/多靶磁控濺射加離子束輔助組合沉積工藝，系統(tǒng)適用于多種金屬和絕緣材料成膜工藝。

配備具有磁控濺射和離子束輔助系統(tǒng)，濺射速率比傳統(tǒng)工藝更高，濺射靶滿足特殊材料沉積要求。

設(shè)計(jì)基板平行暴露在濺射源有效范圍，同時(shí)兼具輔助離子源照射角度，基板支架為多邊行星旋轉(zhuǎn)功能。

多段式石英燈加熱器裝置，快速使腔室和基片加熱到工藝溫度(最高到300°C)。

系統(tǒng)配備實(shí)時(shí)沉積速率控制單元，運(yùn)用石英晶體測(cè)厚儀將測(cè)得的沉積速率調(diào)整電源反饋控制單元，控制濺射電流以調(diào)節(jié)成膜速率。

可選配直流脈源沖或RF電源為磁控濺射電源，更廣泛適應(yīng)各種金屬和絕緣材料濺射成膜，包括氧化物、氮化物等材料的成膜工藝。（見附件：PVD沉積材料表）

選配離子源輔助系統(tǒng)，在沉積金屬氧化物或氮化物膜時(shí)，該系統(tǒng)非常有助于改善膜的物理密度、光學(xué)和機(jī)械性能，更適合各類超硬鍍膜系統(tǒng)。還可以用于鍍膜前清洗和蝕刻基板提高附

著力。

工藝特點(diǎn)：

磁控濺射沉積不需要熔化和蒸發(fā)原材料，這導(dǎo)致了比其他PVD技術(shù)更多的優(yōu)勢(shì)：

幾乎所有材料都可以通過磁控濺射沉積，而不論其熔化溫度如何；

可以根據(jù)基板和膜層的要求縮放靶頭并將其放置在腔室中的任何位置。

可以沉積合金和化合物的薄膜，同時(shí)保持與原始材料一致的物理結(jié)構(gòu)。

利用輔助離子源提供輔助沉積能量，在通過金屬靶的反應(yīng)濺射來沉積氧化物或氮化物膜時(shí)，非常有助于改善膜的物理密度。

工藝優(yōu)點(diǎn)：

離子束輔助的磁控濺射工藝的優(yōu)勢(shì)是利用磁控濺射的高能特性和沉積不需要熔化和蒸發(fā)原材料的成膜特性，用離子輔助的能量加大濺射到基材表面的原子遷移率，提高成膜速度和密度，改善濺射成膜表面的附著力，是大面積快速成膜的最佳選擇。多種超硬AR膜層可快速沉積厚度達(dá)到10um以上。