SI 500 D滿足高端工藝要求，適用于器件的生產和研發應用。 SI 500 D在基于硅烷的沉積工藝中(如II-V化合物和硅襯底)具有出色的性能。SI 500 D可在80℃至300℃/400℃溫度下采用ICPECVD 電感耦合等離子體增強化學氣相沉積方式制備高質的SiO2、SiOxNy、SixNy、SiC 和 a-Si 膜，具有很高的工藝穩定性和重復性。

特點：

低溫   高密度 

低應力 高臺階覆蓋 

低損傷 高均勻性

SI 500 D的突出優點是采用平板三螺旋天線PTSA 電感耦合等離子體ICP 源和有背氦冷卻系統的下電極，最大樣片直徑8英寸。

配置情況：SI 500 D可配置為單反應腔系統、或帶預真空室或片盒站的多腔系統。設備配置質量流量計MFC控制氣體流量、氣體流量獨立于氣體壓力控制，配置帶干泵的 預真空室，配置遠程現場控制器RFC、通過串行現場總線Interbus連接系統所有件，配置SENTECH等離子工藝系統操作軟件。采用液體前驅體TEOS，可實現高臺階覆蓋的氧化硅膜沉積。

型號

SI500 D       

ICPECVD  沉積系統

室溫～300/400℃

SI 500 D-300

ICPECVD  沉積系統

最大12英寸晶圓片

室溫～300/400℃

SI500   PPD

PECVD  沉積系統

帶預真空室

200℃~350℃

Depolab  200

PECVD  沉積系統

不帶預真空室

200℃~400℃

可選項

增加氣路

反應腔壁加熱

載片器

襯套

前級泵改為干泵

下電極射頻偏置

液體前驅體系統

激光終點監視器

OES 終點檢測

原位監測橢偏儀

多腔系統配置